Transistor Mosfet IRFB260 N 200V 56A TO-220AB

Transistor Mosfet IRFB260NPBF - 200V - 56A - TO-220AB

• Type de canal : N
• Courant continu de Drain maximum : 56 A
• Tension Drain Source maximum : 200 V
• Résistance Drain Source maximum : 40 mΩ
• Tension de seuil maximale de la grille : 4V
• Tension de seuil minimale de la grille : 2V
• Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V
• Type de boîtier : TO-220AB
• Type de montage : Traversant
• Mode canal : Enrichissement
• Catégorie : MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum : 380 W
• Largeur : 4.69mm
• Hauteur : 15.24mm
• Longueur : 10.54mm
• Température d'utilisation maximum : +175 °C
• Température de fonctionnement minimum :    -55 °C
• Série : HEXFET
• Matériau du transistor : Si
• Retard à la conduction typique : 17 ns
• Charge de Grille type @ Vgs : 150 nC @ 10 V
• Capacitance d'entrée typique @ Vds : 4220 pF @ 25 V
• Retard au blocage typique : 52 ns