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Pièces détachées

Transistors

Transistors pour réparation de matériel audiovisuel

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SAVMPSA42
Transistor MPSA42 NPN 300V 0.5A TO-92

Transistor MPSA42 NPN 300V 0.5A TO-92

Transistor MPSA42 NPN 300V 0.5A TO-92

1.30 € TTC (1.08 € HT )
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SAVBC517
BC517 Transistor NPN Darlington 30V, 1 A

BC517 Transistor NPN Darlington 30V, 1 A

Transistor NPN Darlington BC517, 30V, 1 A   Polarité transistor  NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo  30V Fréquence de transition ft  200MHz Dissipation de puissance Pd  1.5W Courant de collecteur DC  1A Gain en courant DC hFE  30000hFE Type de boîtier de transistor  TO-92 Température de fonctionnement max..  150°C

2.40 € TTC (2.00 € HT ) x par 1
2.00 € TTC (1.67 € HT ) x par 6
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SAV2SC2240
Transistor NPN 2S C2240 120V 100mA 0,3W TO-92

Transistor NPN 2S C2240 120V 100mA 0,3W TO-92

Transistor NPN 2SC2240 120V 100mA 0,3W TO-92

0.80 € TTC (0.67 € HT ) x par 1
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SAV2SA970
Transistor PNP 2SA970 120V 100mA 0.3W TO-92

Transistor PNP 2SA970 120V 100mA 0.3W TO-92

Transistor PNP 2SA970 120V 100mA 0.3W TO-92

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SAVMMBT3906
Transistor cms bipolaire MMBT3906 PNP -40V 200mA 300mW 100hFE SOT23-3

Transistor cms bipolaire MMBT3906 PNP -40V 200mA 300mW 100hFE SOT23-3

Transistor bipolaire MMBT3906 PNP -40V 200mA 300mW 100hFE SOT23-3

3.60 € TTC (3.00 € HT )
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SAVMMBT3904
Transistor cms bipolaire MMBT3904 NPN 40V 200mA 300mW 300hFE SOT23-3

Transistor cms bipolaire MMBT3904 NPN 40V 200mA 300mW 300hFE SOT23-3

Transistor bipolaire MMBT3904 NPN 40V 200mA 300mW 300hFE SOT23-3

3.60 € TTC (3.00 € HT )
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SAVFCX593TA
FCX593TA Transistor, PNP, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches

FCX593TA Transistor, PNP, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches

FCX593TA Transistor, PNP, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches Type de transistor : PNP Courant continu de Collecteur maximum :    1 A Tension Collecteur Emetteur maximum : 100 V Type de boîtier : SOT-89 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 2 W Gain en courant DC minimum : 300 Configuration du transistor : Simple Tension Collecteur Base maximum : -120 V Tension Emetteur Base maximum : -7 V Fréquence de fonctionnement maximum : 50 MHz Nombre de broche : 3 Nombre d'éléments par circuit : 1 Dimensions : 4.6 x 2.6 x 1.6mm Tension de saturation Base Emetteur maximum : -1,1 V Température de fonctionnement minimum : -55 °C Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : -0,3 V Température d'utilisation maximum : +150 °C

2.80 € TTC (2.33 € HT ) x par 1
2.20 € TTC (1.83 € HT ) x par 4
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SAVPZTA42
Transistor PZTA42 bipolaire haute tension, NPN, 300 V, 0,1 A, SC-73, 4 broches

Transistor PZTA42 bipolaire haute tension, NPN, 300 V, 0,1 A, SC-73, 4 broches

Transistor NPN cms PZTA42

11.15 € TTC (9.29 € HT )
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SAVFCX493TA
FCX493TA Transistor, NPN, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches

FCX493TA Transistor, NPN, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches

FCX493TA Transistor, NPN, 100 V, 1 A, SOT-89, 3 broches Type de transistor : NPN Courant continu de Collecteur maximum :    1 A Tension Collecteur Emetteur maximum : 100 V Type de boîtier : SOT-89 Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 1 W Gain en courant DC minimum : 20 Configuration du transistor : Simple Tension Collecteur Base maximum : 120 V Tension Emetteur Base maximum : 5 V Fréquence de fonctionnement maximum : 150 MHz Nombre de broche : 3 Nombre d'éléments par circuit : 1 Dimensions : 4.5 x 2.5 x 1.5mm Tension de saturation Base Emetteur maximum : 1,15 V Température de fonctionnement minimum : -65 °C Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum : 0,6 V Température d'utilisation maximum : +150 °C

2.80 € TTC (2.33 € HT ) x par 1
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SAVMJE13003
MJE13003 Transistor NPN EPITAXIAL SILICON TO-126 700V 1.5A

MJE13003 Transistor NPN EPITAXIAL SILICON TO-126 700V 1.5A

MJE13003 Transistor NPN EPITAXIAL SILICON TO-126  VCE0 : 700V  VCEv : 400V Ic :1.5A

3.30 € TTC (2.75 € HT ) x par 1
2.52 € TTC (2.10 € HT ) x par 3
2.16 € TTC (1.80 € HT ) x par 6
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SAV2N3904
Transistor 2N3904 NPN 40V 200mA TO-92

Transistor 2N3904 NPN 40V 200mA TO-92

Transistor 2N3904 NPN 40V 200mA TO-92

2.30 € TTC (1.92 € HT ) x par 1
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SAB2SK932
Transistor JFET N 2SK932 15V 50mA SOT23

Transistor JFET N 2SK932 15V 50mA SOT23

Transistor JFET, 2SK932-22-TB-E, Canal-N, 50 mA 15 V CP, 3 broches     Type de canal    N     Idss Drain-source Courant de coupure    7.3 → 12mA     Courant continu de Drain maximum    50 mA     Tension Drain Source maximum    15 V     Tension Grille Source maximum    -10 V     Tension Drain Grille maximum    -15V     Configuration    Simple     Type de montage    CMS     Type de boîtier    CP     Nombre de broche    3     Capacitance Drain Grille    10pF     Capacitance Source Grille ON    3pF     Dimensions    2.9 x 1.5 x 1.1mm

3.30 € TTC (2.75 € HT ) x par 1
2.55 € TTC (2.13 € HT ) x par 4
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SAV2N5401
Transistor 2N5401 PNP To-92

Transistor 2N5401 PNP To-92

Transistor 2N5401 PNP   Boîtier To-92

1.90 € TTC (1.58 € HT ) x par 1
1.30 € TTC (1.08 € HT ) x par 5
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SAV2N5551
Transistor 2N5551 NPN 160V 600mA To-92

Transistor 2N5551 NPN 160V 600mA To-92

Transistor 2N5551 NPN  160V 600mA    Boîtier To-92

1.50 € TTC (1.25 € HT )
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SAV2SC4137
Transistor NPN 2SC4137 20V 100mA TO-126

Transistor NPN 2SC4137 20V 100mA TO-126

Transistor NPN 2SC4137 20V 100mA TO-126

2 avis client

2.10 € TTC (1.75 € HT ) x par 1
1.80 € TTC (1.50 € HT ) x par 2
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SAVMMBT5551
Transistor NPN cms MMBT5551

Transistor NPN cms MMBT5551

Transistor bipolaire, NPN, 160 V, 0,6 A, SOT-23, 3 broches

1.05 € TTC (0.88 € HT )
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SAV2SC3200
Transistor NPN 2SC3200 120V 100mA 300mW TO-92

Transistor NPN 2SC3200 120V 100mA 300mW TO-92

Transistor NPN 2SC3200 120V 100mA 300mW TO-92

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SAVBC556B
Transistor BC556B PNP TO-92 -65V -100mA

Transistor BC556B PNP TO-92 -65V -100mA

Transistor BC556B PNP TO-92 -65V -100mA   Fabricant : ON SEMICONDUCTOR Type de transistor : PNP Polarisation : bipolaire Tensions collecteur-émetteur : 65V Courant du collecteur : 0.1A Puissance de dissipation : 500mW Boîtier : TO92 Montage : THT Fréquence : 150MHz

1.80 € TTC (1.50 € HT ) x par 1
1.60 € TTC (1.33 € HT ) x par 5
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SAVSIHG20N50C-E3
Transistor MOSFET SIHG20N50C-E3 500V 270m OHMS 20A TO-247AC

Transistor MOSFET SIHG20N50C-E3 500V 270m OHMS 20A TO-247AC

Transistor MOSFET SIHG20N50C-E3 500V 270mΩ 20A TO-247AC Fabricant VISHAY      Type de transistor N-MOSFET      Polarisation unipolaire      Tension drain-source 560V      Courant du drain 11A      Puissance 250W      Boîtier TO247AC      Tension entrée-source ±30V      Résistance en état de conduction 0.27Ω

7.08 € TTC (5.90 € HT ) x par 1
6.00 € TTC (5.00 € HT ) x par 2
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SAVIRF2807
Transistor Mosfet IRF2807 Canal N 80V 82A 13 mOmhs

Transistor Mosfet IRF2807 Canal N 80V 82A 13 mOmhs

Transistor Mosfet IRF2807 Canal N Type de canal : N Courant continu de Drain maximum : 82 A Tension Drain Source maximum : 80 V Résistance Drain Source maximum : 13 mΩ Tension de seuil maximale de la grille : 4V Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V Type de boîtier : TO-220AB Type de montage : Traversant Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation de puissance maximum : 230 W Température de fonctionnement minimum :    -55 °C Charge de Grille type @ Vgs :    160 nC @ 10 V Capacitance d'entrée typique @ Vds : 3820 pF @ 25 V Retard au blocage typique : 49 ns Température d'utilisation maximum : +175 °C Dimensions : 10.54 x 4.69 x 8.77mm Matériau du transistor : Si Retard à la conduction typique : 13 ns

4.20 € TTC (3.50 € HT )
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