Transistor IRF640N MOSFET N 200V 18A

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Transistor IRF640N MOSFET N 200V 18A

  • Polarité transistor  Canal N
  • Courant de drain Id  18A
  • Tension Vds max..  200V
  • Résistance Rds(on)  0.15ohm
  • Tension, mesure Rds  10V
  • Tension de seuil Vgs  4V
  • Dissipation de puissance Pd  150W
  • Type de boîtier de transistor  TO-220AB
  • Température max..  175°Ca
Poids 1g
Diametre 1mm
Hauteur 1mm
Largeur 1mm
Longueur 1mm

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