Transistor MOSFET IRF1010E CANAL N 60V 84A 200W

Transistor MOSFET IRF1010E

 TO220

•  Type de canal    N
•     Courant continu de Drain maximum    84 A
•     Tension Drain Source maximum    60 V
•     Résistance Drain Source maximum    0,012 Ω
•     Tension de seuil maximale de la grille    4V
•     Tension de seuil minimale de la grille    2V
•     Tension Grille Source maximum    ±20 V
•     Type de boîtier    TO-220AB
•     Type de montage    Traversant
•     Nombre de broche    3
•     Mode canal    Enrichissement
•     Catégorie    MOSFET de puissance
•     Dissipation de puissance maximum    200 W
•     Configuration    Simple
•     Longueur    10.54mm
•     Dimensions    10.54 x 4.69 x 8.77mm
•     Hauteur    8.77mm
•     Température d'utilisation maximum    +175 °C