Transistor FQP12N60C MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V TO-220

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    Transistor FQP12N60C MOSFET, Canal-N, 12 A 600 V

  •     Type de canal    N
  •     Courant continu de Drain maximum    12 A
  •     Tension Drain Source maximum    600 V
  •     Résistance Drain Source maximum    0,65 Ω
  •     Tension Grille Source maximum    ±30 V
  •     Type de boîtier    TO-220AB
  •     Catégorie    MOSFET de puissance
  •     Dissipation de puissance maximum    225 W
  •     Dimensions    10.1 x 4.7 x 9.4mm
  •     Température d'utilisation maximum    +150 °C

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