Transistor FQA6N90C MOSFET N de puissance TO-3PN 900V 6A

Transistor FQA6N90C MOSFET N de puissance TO-3PN 900V 6A

• Type de canal : N
• Courant continu de Drain maximum : 6 A
• Tension Drain Source maximum : 900 V
• Type de boîtier : TO-3PN
• Type de montage : Traversant
• Nombre de broches : 3
• Résistance Drain Source maximum : 2,3 Ω
• Mode de canal : Enrichissement
• Tension de seuil minimale de la grille : 3V
• Dissipation de puissance maximum : 198 W
• Configuration du transistor : Simple
• Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
• Nombre d'éléments par circuit : 1
• Largeur : 5mm
• Longueur : 15.8mm
• Hauteur : 18.9mm
• Matériau du transistor : Si
• Série : QFET
• Température de fonctionnement minimum : -55 °C
• Charge de Grille type @ Vgs : 30 nC @ 10 V
• Température d'utilisation maximum : +150 °C