Transistor PSMN013-100BS Mosfet Canal N, de puissance 100 V 68A 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Transistor PSMN013-100BS Mosfet Canal N, de puissance 100 V 68A 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK)

Transistor PSMN013-100BS Mosfet Canal N, de puissance 100 V 68A  0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK)

  • Type de canal : Canal N
  • Tension Vds max..: 100V
  • Courant de drain Id : 68A
  • Résistance Drain-Source à l'état-ON : 0.0108ohm
  • Type de boîtier de transistor : TO-263 (D2PAK)
  • Montage transistor : Montage en surface
  • Tension de test Rds(on) : 10V
  • Tension de seuil Vgs Max : 3V
  • Dissipation de puissance : 170W
  • Nombre de broches : 3Pins
  • Température de fonctionnement max..: 175°C

 

Alimentation Secteur Français

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