MOSFET canal N, 9 A 800 V, Zener-protected superMESH, 0.78 ohms

MOSFET canal N, 9 A 800 V, Zener-protected superMESH, 0.78 ohms

• Type de canal : N
• Courant continu de Drain maximum : 9A
• Tension Drain Source maximum : 800V
• Type de boîtier : A-220
• Type de montage : Traversant
• Nombre de broches : 3
• Résistance Drain Source maximum : 900 mΩ
• Mode de canal : Enrichissement
• Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V
• Tension de seuil minimale de la grille : 3V
• Dissipation de puissance maximum : 160 W
• Configuration du transistor : Simple
• Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
• Matériau du transistor : Si
• Largeur : 4.6mm
• Longueur : 10.4mm
• Température d'utilisation maximum : +150 °C
• Nombre d'éléments par circuit : 1
• Charge de Grille type @ Vgs : 72 nC @ 10 V
• Série : MDmesh, SuperMESH
• Hauteur : 9.15mm
• Température de fonctionnement minimum : -55 °C