Transistor FQA9N90C MOSFET N de puissance TO-3PN 900V 9A

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Remplacé par MOSFET TK9J90E Silicone N-Channel MOS

  • Courant de drain Id: 9A
  • Dissipation de puissance Pd: 250W
  • Tension Vds max..: 900V
  • Nombre de broches: 3
  • Résistance Rds(on): 1.3ohm
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: Canal N
  • Tension, mesure Rds: 10V
  • Tension de seuil : 5V
  • Tension entrée-source : ±30V
  • Type de boîtier de transistor: TO-3PN

peut être remplacé par STW11NK90Z

Alimentation Secteur Français

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